Розвиток електроніки визначається постійним вдосконаленням характеристик елементної бази і апаратури по наступних напрямах: зменшення габаритів і маси (мініатюризація); підвищення надійності за рахунок скорочення сполучних ліній, вдосконалення контактних вузлів і взаємного резервування елементів; зменшення споживаної потужності; ускладнення завдань і відповідних їм схемних рішень при одночасному здешевленні кожного окремого елементу.
Істотні зміни в напівпровідниковій техніці зв'язані, по-перше, з переходом до інтегральних мікросхем (ІМС) і, по-друге, з переходом до великих інтегральних схем (ВІС).
Інтегральною називають мікросхему з певним функціональним призначенням, що виготовляється не збіркою і розпайкою окремих активних і пасивних елементів, а цілком, в єдиному технічному процесі. Прикладами інтегральних схем можуть служити підсилювачі різних сигналів, логічні схеми обчислювальної техніки, генератори синусоїдної, імпульсної або пилкоподібної напруги, тригери виготовлені як єдине ціле в об'ємі одного напівпровідникового кристала або в тонких плівках. Ці схеми зазвичай доповнюють навісними компонентами.
До пасивних елементів електронних схем відносять резистори, конденсатори, індуктивні котушки, трансформатори, до активних — діоди, транзистори, тиристори і ін. Інтегральні мікросхеми містять десятки і сотні пасивних і активних елементів. Показник ступеня складності мікросхеми характеризується числом елементів, що містяться в ній, і компонентів.
Великі інтегральні схеми також виготовляють в об'ємі одного кристала. Вони характеризуються більшою складністю і служать як окремі блоки електронної апаратури, наприклад, запам'ятовуючі пристрої, процесора і т.д.
Ступінь і характер інтеграції елементів мікросхем визначаються перш за все рівнем технології.
