За принципами будови та технології виготовлення ІМС поділяються на такі основні типи:
O напівпровідникові,
O плівкові,
O гібридні,
O поєднані .
Напівпровідниковою інтегральною мікросхемою називають ІМС, яка має один кристал напівпровідника, в об’ємі і на поверхні якого спеціальними технологічними методами виконані всі елементи, міжелементні з’єднання і контактні площинки мікросхеми.
Кристал напівпровідника являє собою частину напівпровідникової пластини (заготівки із напівпровідникового матеріалу), яка використовується для виготовлення напівпровідникових інтегральних мікросхем.
Плівкова ІМС – це мікросхема, елементи якої виконані за допомогою різного типу плівок на поверхні діелектричної підкладки.
В залежності від способу формування плівок і пов’язаною з цим їх товщиною розрізняють тонкоплівкові ІС (товщина плівок 1-2 мкм ) та товстоплівкові ІС (товщина плівок від 10-20 мкм і більше). Ця технологія не дозволяє одержати активні елементи із задовільними параметрами, а тому плівкові ІС містять в собі тільки пасивні елементи (резистори, конденсатори).
Гібридною інтегральною мікросхемою називають ІМС, яка має діелектричну основу, пасивні елементи (R,C,L) на її поверхні виконують у вигляді одношарових або багатошарових плівкових структур, з’єднаних нерозривними плівковими провідниками, а напівпровідникові прилади (активні елементи), в тому числі ІМС та інші компоненти (мініатюрні конденсатори, резистори і індуктивності великих номіналів) розміщені на основі у вигляді дискретних навісних деталей.
До числа гібридних відносять також мікросхеми, які складаються з кількох кристалів, з’єднаних між собою і змонтованих в одному корпусі (багатокристальні ІМС).
В поєднаних ІМС активні елементи виконані в поверхневому шарі напівпровідникового кристалу (як в напівпровідниковій ІС), а пасивні нанесені за допомогою плівок на попередньо ізольовану поверхню того ж кристалу.
Мікрозбіркою називають мікроелектронні вироби, які складають з елементів, компонентів, ІМС та інших електрорадіоелементів, з’єднаних між собою певним способом для виконання певної функції, і розробляються конструкторами конкретної радіоелектронної апаратури, щоб покращити показники її в мініатюризації.
Із мікрозбірок компонують мікроблоки.
Мікроблок – мікроелектронний виріб, який, крім мікрозбірок, може також мати ІМС та інші компоненти у різних поєднаннях.
За характером функцій, що виконуються, ІМС поділяються на дві категорії:
O аналогові
O та цифрові.
Аналогові ІМС виконують функції перетворення і обробки електричних сигналів, які змінюються за законом неперервної функції. Вони застосовуються як підсилювачі, генератори гармонічних сигналів, детектори, фільтри.
Цифрові ІМС призначені для обробки і перетворення електричних сигналів, які змінюються за законом дискретної функції. Активні елементи в таких ІМС працюють в ключовому режимі і забезпечують два стани схем:
O відкрито
O і закрито (насичення та відсічки).
Окремим випадком цифрових ІМС є логічна мікросхема.
ІМС розробляються і виготовляються у вигляді серій.
Серія ІМС – сукупність типів ІС, які виконують різні функції, але мають єдину конструктивно-технологічну будову і призначені для спільного застосування в радіоелектронній апаратурі. Всі ІМС однієї серії мають, як правило, однаковий корпус (133 серія, 155).
Корпус ІМС – частина конструкції ІМС, яка захищає кристал або основу, а також елементи і компоненти мікросхеми від зовнішнього впливу і забезпечує з’єднання ІМС із зовнішніми електричними колами за допомогою виводів.
Кількісно рівень розвитку інтегральної техніки визначається показником, який називається рівнем інтеграції. Він являє собою сумарне число елементів і компонентів N, які знаходяться в ІМС. Часто також користуються поняттям густота упакування ІМС в одиниці об’єму – відношення числа елементів і компонентів мікросхеми до її об’єму без урахування об’єму виводів.
Ступінь складності ІМС характеризують коефіцієнтом К, який називають ступенем інтеграції і визначають за формулою
К= Lg N.
При цьому ІМС з числом елементів до 10 – це мікросхеми 1-го ступеня інтеграції, з числом від 11 до 100 –2-го ступеня, з числом 101 до 1000, від 1001 до 10000, від 10001 до 10000 належить до ІМС 3-го, 4-го і 5 –го ступенів інтеграції. При обчисленні К його заокруглюють до найближчого більшого цілого числа. ІМС з високим ступенем інтеграції К= 3…5 належать до групи великих інтегральних мікросхем (ВІС) і при К >5 – надвеликих мікросхем (НВІС).